کاربرد رایانه در برق 17 ص (ورد)

دسته بندي : فنی » رشته برق
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات
دسته بندی : وورد
نوع فایل :  word (..doc) ( قابل ويرايش و آماده پرينت )
تعداد صفحه : 17 صفحه

 قسمتی از متن word (..doc) : 
 

‏1
‏مدار شماره 1
‏در مدارهای زیر الف) پتانسیل گره ها ب) جریان شاخه ها ج) توان هر یک از عناصر را بدست آوری‏د‏.‏ ‏ابتدا برنامه را اجرا کرده وقتی محیط برای کار آماده شد مدار را رسم می کنیم. برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog‏ المان R‏ (مقاومت را در محیط ترسیم قرار می دهیم و بعد از آن در همین کتابخانه منبع جـریان وابستـه بـه جریان F‏ را در محـیط کـار قرار می دهـیم و در کتابخانه Source‏ که مربوط به منابع می باشد منبع ولتاژ DC‏ به نام VDC‏ را در مدار قرار می دهیم و بعد از آن با استفاده از Place wire‏ مدار را رسم می کنیم و زمین را که با نام O/Source‏ مشخص شده است در جای خود قرار داده و برای تغییر مقدار مقاومت و مقدار منبع با دبل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض آن مقدار مورد نیاز را واردمی نماییم و برای تعیین ضریب وابستگی منابع وابسته با دبل کلیک کردن بر روی آنها در قسمت Gain‏ ضریب وابستگی را مشخص می کنیم و سپس خارج می شویم و بعد از ترسیم باید آن را آنالیز ‏مي كنيم.
‏بعد از آن وارد قسمت محیط آنالیز می شویم و در قسمت Analyses type‏ نوع آنالیز را مشخص‏ ‏می کنیم
‏و بعد از آن گزینه Run‏ را اجرا می کنیم ‏و‏می توان ولتاژ ‏جریان و توان رابا‏انتخاب گزینه های V‏ و I‏ و W‏ مشاهده نمود.
‏1ـ پتانسیل گره ها
‏2ـ جریان شاخه ها
‏3ـ توان عناصر
‏مدار شماره 2
‏بعد از اجرای برنامه هنگامی که محیط برای کار آمداه شد مدار را رسم کرده
‏پتانسیل گره ها جریان شاخه ها
‏توان عناصر
‏آنالیز در حوزه زمان Time domain‏ :
‏توسط این آنالیز می توان پتانسیل گره ها، جریان هر المان و توان المان را توسط شکل موج ملاحظه کرد ‏ترانزیستور
‏3
‏در مدار شکل زیر توسط آنالیز Bias point‏ نقطه کار شامل IB‏، IE‏، IC‏، VBC‏ و VCE‏ را بدست آورید. سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز نموده و موارد خواسته شده را اندازه گیری کنید.
‏برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog‏ مقاومت R‏ و خازن C-elect‏ و از کتابخانه Source‏ منبع ولتاژ سینوسی (VSIN‏) ترانزیستور Q2N2219‏ و از کتابخانه Bipolar‏ انتخاب کرده و در محیط کار قرار می دهیم و سپس توسط گزینه Place wire‏ مدار را ترسیم می کنیم و زمین را که به نام O/Source‏ مشخص شده است در جای مناسب قرار می دهیم و ظرفیت مقاومت ها و خازن ها را با دابل کلیک کردن بر روی مقدار ظرفیتی که از پیش انتخاب شده است مقدار ظرفیت مورد نیاز را وارد می کنیم و برای منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0‏ را با دابل کلیک کردن روی آنها مقدار لازم را وارد می کنیم و با استفاده از (Vin) Place Netaliul‏ و (Voo)‏ در روی مدار مشخص می کنیم.
‏بعد از آن گزینه New Simulation Profile‏ را در بالای صفحه انتخاب کرده و سپس نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.
‏و وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را Bias Point‏ انتخاب کرده و OK‏ را می زنیم.‏ ‏و سپس Run‏ را اجرا می کنیم و با انتخاب این گزینه ‏ در بالای صفحه VCE‏ و VBE‏ را بدست می آوریم.‏ ‏و سپس با فعال کردن گزینه I‏ جریان IB‏ و IC‏ و IE‏ را بدست می آوریم.
‏سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز می کنیم و موارد زیر را بدست می آوریم.
‏1ـ IB‏ و IC‏ و IE‏ 2ـ شکل موج ورودی با اندازه 3ـ شکل موج خروجی با اندازه 4ـ محاسبه ضریب تقویت ولتاژ 5ـ محاسبه مقاومت خروجی تقویت کننده 6ـ ضریب تقویت جریان 7ـ مقاومت ورودی تقویت کننده‏ ‏برای آنالیز در حوزه زمان ابتدا نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.
‏سپس نوع آنالیز را Time Domain‏ انتخاب می کنیم و سپس مقدار مطلوب را برای Run to Time‏ و Maximum Step Size‏ انتخاب می کنیم‏ و OK‏ را می زنیم.
‏1ـ برای بدست آوردن جریان پایه بیس IB‏ کرسر جریان را بروی پایه بیس قرار می دهیم و مدار را Run‏ می کنیم. 2ـ برای بدست آوردن جریان پایه امیتر IE‏ کرسر جریان را را روی پایه امیتر قرار داده و مدار را
‏3
Run‏ می کنیم. 3ـ برای بدست آوردن جریان پایه کلکتور IC‏ کرسر جریان را روی پایه کلکتور قرار داده و مدار را Run‏ می کنیم.
‏4ـ شکـل مـوج ورودی با انـدازه کرسر ولتاژ را در قسمت ورودی مدار Vin‏ قرار داده و مدار را Run‏ می کنیم.
‏5ـ برای رسم شکل موج خروجی با اندازه کرسر ولتاژ را در قسمت خروجی مدار Voo‏ قرار داده و مدار را Run‏ می کنیم.
‏6ـ برای محاسبه ضریب تقویت ولتاژ باید ولتاژ خروجی را تقسیم بر ولتاژ ورودی کرد.
‏7ـ مقاومت خروجی تقویت کننده را با استفاده از رابطه زیر بدست می آوریم.
‏با وارد کردن RL=1000meG‏ مقدار Voo‏را بدست می آوریم.
‏ضریب تقویت جریان برابر است با
Io‏ برابر است با
Ii‏ برابر است با
‏مقاومت روی تقویت کننده برابر است با
‏آنالیز DC Sweep
‏4
‏دیود م‏عمولی
‏مدار را رسم نموده و منحنی مشخصه دیود را با استفاده از آنالیز DC Sweep‏ بدست می آوریم. بعد از اجرای برنامه مدار را ترسیم می کنیم و برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog‏ مقاومت و از کتابخانه Diode‏ دیود 1N4376‏ و از کتابخانه Source‏ منبع VSC‏ را انتخاب نموده و توسط گزینه Place wire‏ مدار را ترسیم می کنیم و برای تعیین ظرفیت مقاومت با دابل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض مقدار جدید را وارد می کنیم و در منبع VSRC‏ مقدار DC‏ را 1.V‏ انتخاب می کنیم. سپس زمین را با نام O/Source‏ در جای مناسب می گذاریم و توسط گزینه Place net alias‏، (AA)‏ آند و (KK)‏ کاتد دیود را مشخص می کنیم.
‏و بعد از آن توسط گزینه New Simulation Profile‏ مدار را آنالیز کرده در ابتدا باید نامی را برای آنالیز تعیین کنیم.
‏حال وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را DC Sweep‏ انتخاب می کنیم ‏و بعد از آن در بالای صفحه نام منبع ولتاژ را می نویسیم و در ستون مربوط به Sweep Type‏ نوع Sweep‏ را ‏انتخاب می کنیم و در سر ستون End Value, Start Value‏ و Increment‏ اعدادی مناسب قرار می دهیم و گزینه OK‏ را انتخاب می کنیم.
‏حال مدار را Run‏ می کنیم و اگر Error‏ نداد ادامه کار را انجام می دهیم. حال می بینیم که محور افقی ولتاژ منبع ‏است و هیچ گونه منحنی را ما نمی بینیم. پس باید محور افقی را به اختلاف پتانسیل آند (A‏) و کاتد (K‏) تغییر داد پس به صورت زیر عمل می کنیم. از طریق منوی Plot‏ گزینه Axis Setting‏ را انتخاب می کنیم که پنجره باز شده که به صورت پیش فرض محور X‏ها انتخاب شده است. پس گزینه Axis Variable‏ را انتخاب می کنیم.‏ ‏بعد از آن وارد صفحه ای می شویم که در آنجا اختلاف پتانسیل آند و کاتد را واردمی کنیم.(‏) با تأیید آن محور افقی بر ‏تغییر می کند.
‏و بـعـد از آن بایـد محـور عـمـودی جـریان عبوری از دیود را به ما نشان دهد. پس به صورت زیر عمل‏ ‏می کنیم. از طریق گزینه Truce‏ گزینه Add Truce‏ را فعال نموده سپس جریان ID‏ را انتخاب و آن را تأیید می کنیم.